สามผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่ของโลก Samsung, SK Hynix และ Micron ถูกฟ้องเป็นคดีกลุ่ม (Class Action) ที่ศาลแขวงสหรัฐฯ เขตตอนเหนือของแคลิฟอร์เนีย โดยโจทก์ 17 รายกล่าวหาว่าทั้งสามบริษัทร่วมกันจำกัดปริมาณการผลิต DRAM อย่างไม่ชอบด้วยกฎหมาย เพื่อดันราคาให้สูงขึ้นต่อเนื่อง โดยคดีระบุว่าราคา DRAM ปรับขึ้นแล้วกว่า 700% ในช่วงสี่ปีที่ผ่านมา
คดีนี้ใช้ชื่อ Garciaguirre v. Samsung Electronics อยู่ในการพิจารณาของผู้พิพากษา Noel Wise โดยอ้างมาตรา 1 ของ Sherman Act กฎหมายต่อต้านการผูกขาดของสหรัฐฯ และพุ่งเป้าไปที่สามบริษัทซึ่งครองส่วนแบ่งตลาด DRAM โลกรวมกันราว 90% โจทก์ในคดีประกอบด้วยบุคคล 14 รายและธุรกิจขนาดเล็กอีก 3 แห่ง ซึ่งรวมร้านประกอบ-ซ่อมคอมพิวเตอร์ที่ระบุว่าได้รับผลกระทบโดยตรงจากต้นทุนแรมที่พุ่งสูงขึ้น
ข้อกล่าวหาหลัก: ใช้ HBM เป็น ‘ฉากบัง’ ลดกำลังผลิต DDR3/DDR4
ใจความสำคัญของคำฟ้องคือการกล่าวหาว่า ทั้งสามบริษัทใช้การโยกกำลังผลิตไปสู่ High Bandwidth Memory หรือ HBM ซึ่งเป็นหน่วยความจำแบบเรียงซ้อนที่ป้อนให้กับชิปเร่งความเร็ว AI เป็นเครื่องมือบังหน้าในการลดปริมาณการผลิต DDR3 และ DDR4 รุ่นเก่าลงพร้อมกัน การลดกำลังผลิตในกลุ่มหน่วยความจำทั่วไป (Commodity DRAM) นี้เองที่โจทก์มองว่าเป็นสาเหตุหลักที่ดันราคาขึ้นไปแตะระดับสูงสุดเป็นประวัติการณ์ โดยไม่มีคู่แข่งรายใหม่เข้ามาแทรกตลาดได้ เนื่องจากการสร้างโรงงานผลิต DRAM ใหม่ต้องใช้เงินลงทุนระดับหลายหมื่นล้านดอลลาร์และใช้เวลาหลายปีกว่าจะเดินสายการผลิตได้ โจทก์อ้างถึงการปรับราคาสินค้าของ Apple ทั้ง iPad และ MacBook ที่เพิ่งเกิดขึ้นเป็นหนึ่งในหลักฐานของผลกระทบดังกล่าว และเรียกร้องให้ศาลรับรองสถานะคดีกลุ่ม สั่งคำสั่งห้ามชั่วคราว พร้อมค่าเสียหายในอัตราสามเท่า
ความผิดซ้ำซาก – เมื่ออดีตยังไม่เคยได้รับบทเรียน
ที่น่าสนใจคือ คดีลักษณะเดียวกันนี้เคยเกิดขึ้นมาแล้วในศาลเดียวกัน เมื่อปี 2018 สำนักงานกฎหมาย Hagens Berman ยื่นฟ้องโดยกล่าวหาพฤติกรรมลดกำลังผลิตพร้อมกันในทำนองเดียวกัน แต่ศาลแขวงยกฟ้องในปี 2020 และศาลอุทธรณ์เขตที่ 9 (Ninth Circuit) ก็ยืนตามคำพิพากษาเดิมในปี 2022 โดยให้เหตุผลว่าพฤติกรรมของทั้งสามบริษัท ‘อธิบายได้ด้วยกลไกตลาดเสรีที่ไม่ได้นัดหมายกันมากกว่าจะเป็นการตกลงร่วมกันที่ผิดกฎหมาย’ ครั้งนี้คำฟ้องใหม่จึงอาศัยประเด็นการโยกไปผลิต HBM เป็นหลักฐานเพิ่มเติมที่คดีเดิมไม่มี เพื่อพยายามข้ามเกณฑ์การพิสูจน์ตามมาตรา 1 ของ Sherman Act ที่ต้องมีข้อตกลงร่วมกันจริง ไม่ใช่แค่พฤติกรรมคล้ายกันในตลาดที่มีผู้เล่นน้อยราย
ทั้งสามบริษัทยังไม่ได้ตอบสนองต่อข้อกล่าวหาในชั้นศาล แต่ก่อนหน้านี้ระบุต่อสาธารณะว่าแต่ละแห่งดำเนินกลยุทธ์อย่างเป็นอิสระจากกัน ขณะที่ผู้บริหารระดับสูงหลายคนเคยเตือนว่าภาวะขาดแคลนหน่วยความจำอาจลากยาวไปอีกหลายปี ด้านธนาคารเพื่อการลงทุนมีการคาดการณ์ว่าราคา DRAM จะปรับขึ้นอีก 40-50% ในไตรมาสที่สาม และอีก 30-40% ในไตรมาสที่สี่ของปีนี้ โดยยังไม่เห็นสัญญาณคลี่คลายก่อนปี 2028
อิเล็กทรอนิกส์ไทยเตรียมรับมือกับระยะเวลาการจัดหาวัตถุดิบและการส่งมอบที่ยาวนานยิ่งขึ้น
สำหรับผู้ประกอบการในสายการผลิตอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์และเครื่องจักรอัตโนมัติของไทยที่ต้องพึ่งพาหน่วยความจำ DRAM ในอุปกรณ์ควบคุม, PC อุตสาหกรรม, และระบบ Edge Computing คดีนี้ตอกย้ำสถานการณ์ที่ผู้ผลิตหลายรายเผชิญอยู่แล้วในช่วงปีที่ผ่านมา นั่นคือต้นทุนหน่วยความจำที่ปรับขึ้นต่อเนื่องและไม่มีทีท่าจะคลี่คลายในระยะสั้น ไม่ว่าผลคดีจะออกมาทางใด สัญญาณจากทั้งฝั่งโจทก์และฝั่งธนาคารเพื่อการลงทุนต่างชี้ไปทางเดียวกันคือราคาหน่วยความจำจะยังคงเป็นปัจจัยกดดันต้นทุนการผลิตที่ต้องวางแผนรับมือล่วงหน้า ทั้งในมุมการจัดหาวัสดุ (Sourcing) และการออกแบบผลิตภัณฑ์ใหม่ที่อาจต้องพิจารณาใช้หน่วยความจำให้คุ้มค่าและประหยัดมากขึ้น
ที่มา:
Tom’s Hardware
